化合物半导体/晶体材料
化合物半导体基板-InP、CdZnTe(CdTe)-
高品质和稳定性赢得了客户的高度评价和信赖。我们生产III-V族化合物半导体的InP和II-VI族化合物半导体的Cd(Zn)Te。提供满足近期需求和产品需求的产品。
种类 | 薄膜材料 |
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主要产品 | InP(磷化铟)、CdZnTe(CdTe)(碲化镉) |
主要基本用途 | 发光元件、光接收元件、超高速电子元件等,红外线探测器、辐射探测器等 |
产品目录 | 【产品目录:英文版】InP、CdTe |
产品阵容
Size | Orientation | Dopant | |
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InP | 2inch 3inch 4inch |
(100) | S, Sn, Zn, Fe, None |
Size(mm) | Orientation | Dopant | |
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CdZnTe | 10×10- 95×95 |
(111),(211),(100) | Zn, None |
InP基板
用途例
基站
数据中心
光通信模块(光接收/发光元件)
太阳能发电
InP基板的特点
- 我们长期提供光通信用途中作为光接收/发光元件必不可少的InP基板。
- 以世界最高水平的品质维持世界第一的市场份额。
- 为提高设备品质而提供高加工精度的晶圆。
对InP新用途的提案
可实现高性能防碰撞传感器
可实现波长对眼睛安全的激光雷达
CdZnTe基板
用途例
医疗、分析用辐射传感器元件
航天、环境用红外线传感器元件
太阳能发电
CdZnTe基板的特点
- 通过采用本公司独创的单晶培养方法,实现了世界上最高品质的大面积CdZnTe单晶。
- 与其他材料相比,CdZnTe可进行高精度辐射检测,实现稳定的X射线检测。
- 我们提供可实现大型红外线传感器的具有均匀Zn浓度的基板。
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