各种金属、化合物粉

钽、铌材料

钽、铌金属粉末

  • 钽和铌是熔点分别为3017℃和2477℃的耐金属。
  • 作为电介质,能形成极薄但高密度的氧化层,是适用于电容器阳极的极佳材料。
  • 半导体布线中会用到铜,为防止铜扩散到半导体层,使用钽或氮化钽作为阻挡层十分有效。
  • 高纯度且高品质的钽和铌粉末在航空航天以及能源工业中,被用作提高涡轮叶片耐腐蚀性的添加剂。
产品 Ta、Nb
应用案例 电容器、溅射靶材、医疗用途、压延产品、电线、热喷涂

钽、铌氧化物粉末

  • 高纯度五氧化二钽和五氧化二铌有助于提高光学透镜的折射率,被用于高端相机和车载相机的光学透镜中。
  • 为提高MLCC(片式多层陶瓷电容器)的性能而添加。
  • 用作声表面波(SAW)滤波器中钽酸锂(LT)和铌酸锂(LN)单晶的原料。
  • 氢氧化铌用作铌化合物的前驱体。
产品 Ta2O5、Nb2O5、Nb(OH)5
应用案例 单晶原料、高纯度应用、光学透镜、压电元件、MLCC、催化剂、合金添加材料、颜料、涂料、铌化合物前驱体

氯化物、化合物

  • 钽和铌等的氯化物和化合物反应性优异。
  • 氯化物可以作为CVD工艺的前驱体应用于半导体制造工艺。
  • 铌化合物可以用作压电元件的材料,用于肿瘤治疗仪器等医疗用途。
  • 在蓄电池制造领域中,添加草酸铌铵,有利用改善电池循环性能。
产品 氯化物: TaCl5、NbCl5、WCl6、MoCl5
化合物:草酸铌铵(NAmOx)、草酸铌、草酸钽、KNbO3、MgNb2O6
应用案例 CVD、合成品、催化剂、涂料、MLCC、半导体用途、颜料、电子陶瓷、PZT用掺杂剂、PMN用前躯体

金属3D打印粉末

  • 我们可提供以钽和铌为中心的球形合金粉末(AMtrinsic®),最适合用于金属3D打印。
  • 钽和铌的生物相容性和非过敏性优异,并且具有高熔点、高耐腐蚀性和在高温下的延展性等特征。
  • 由于热膨胀系数小,且具有优异的导热率和导电率,因此可以应用于医疗、航空航天、化学反应工艺等多种金属3D打印用途。
产品 Ta、Nb、TiNbTa、Ti42Nb、TaW
研发产品 TiTa、高熵合金(HEA)、C103

合金添加材料

  • 铌是具有高熔点、耐腐蚀性和抗氧化性的金属,用作镍、铁、钴基超级合金的添加材料。
  • 镍铌合金具有改善高张力和韧性的功能,因此被用作需要耐热性的超级合金添加材料。
产品 NiNb、Nb2O5
应用案例 合金添加材料

所列产品由TANIOBIS日本株式会社进行销售。

联系我们
通过网站

24小时受理。

通过电话
部门名称
钽、铌业务部
业务企划部

受理时间9:00至17:50
(周末及节假日除外)