溅射靶材
磁性材料用溅射靶材
本公司的磁性材料用靶材主要用作磁记录硬盘（HD）介质用溅射靶材。近年来，伴随着数据中心、在线存储等用途和装置的多样化，对硬盘驱动器（HDD）的需求也以各种方式不断增长。此外，为应对硬盘介质的快速高密度化，从目前的垂直磁记录方式到新一代记录技术的开发也正在推进。为满足日益发展的技术需求，本公司持续供应最高品质的溅射靶材，作为业界首屈一指的供应商，我们备受客户信赖。
| 种类 | 薄膜材料 |
|---|---|
| 主要产品 | Co-Cr-Pt-Oxide…靶、Fe-Pt…靶、Mn合金靶、Fe合金靶 |
| 主要基本用途 | 硬盘介质、硬盘磁头、MRAM |
特点
本公司的靶材是利用多年研发的各类制造技术，在严格的品质管理下制造出来的。并且，我们已在公司内部引入了溅射评估装置，以提高靶材的性能，并进行快速的客户研发支持。
技术内容与特性
本公司的磁性材料用溅射靶材具有高纯度且均匀的结晶组织，并且在控制磁性材料用溅射靶材特有的磁特性方面也受到客户的高度评价。硬盘磁头用溅射靶材被用作提高磁记录密度的关键元件即GMR磁头以及TMR磁头的主要材料。本公司运用先进的冶金知识和丰富的经验，将独特的产品阵容推向了市场。这些溅射靶材已在新一代非易失性半导体存储器MRAM的生产中投入使用。
用途
其他产品阵容
记录介质用
| 记录层 | Co-Cr-Pt-Oxide1(-Oxide2)(-Oxide3)(-Oxide4) Co-Cr-Pt-X1-X2-Oxide1(-Oxide2)(-Oxide3)(-Oxide4) Co-Cr-Pt-B(-X1)(-X2) X1、X2为金属，Oxide1、Oxide2、Oxide3、Oxide4为氧化物 |
|---|---|
| 中间层 | Ni-W(-X)、Co-Cr(-X)、Co-Cr-Oxide1(-Oxide2)等 X为金属，Oxide1、Oxide2为氧化物 |
| 衬层 | Co-Fe(-X1)(-X2)、Co-Fe-B(-X) X1、X2为金属 |
用于磁头及用于MRAM
| Mn合金 | Mn-Pt, Mn-Ir, Mn-Ir-Cr, etc.（本公司独创低氧化技术） |
|---|---|
| Ni合金 | Ni-Fe, Ni-Cr, Ni-Fe-Cr, Ni-Fe-X |
| Co合金 | Co-Fe, Co-Fe-B, Co-Fe-X, Co-Cr-Pt, Co-Nb-Zr |
| 其他 | Fe-Pt, Au-X, Heusler Alloys, MgO, Ru |
与其他产品的特性对比
本公司制造技术及评估技术
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熔解、铸造 压延 锻造 粉末原料制造 粉碎、混合 粉末冶金 机械加工、表面处理 贵金属精炼 各种物理性质评估（XRD、EPMA等） 溅射评估 |
《对应需求》 金属组织控制 磁导率控制 高密度 高PTF化、稳定放电 低氧杂质 含氧量稳定化（含氧化物的产品） 减少加工变形 快速的特性评估，新一代产品开发 |
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