溅射靶材

半导体用溅射靶材

近年来,对电子元件提出了进一步低功耗和高速化的需求,为了实现这些需求,半导体就需要各种高品质的靶材。本公司通过稳定性优异的工艺,从量产产品到研发产品,提供以高纯度为关键词的半导体用靶材产品。此外,我们在国内外庞大的制造和服务基地使得及时的技术、营销和交付对应成为可能。

特点

  • 广泛采用高纯度、合金化技术等金属产品制造技术。
  • 大型靶材也能实现均匀的性状。
  • 使用大量的分析、评估仪器设备,来满足品质保证和技术支持。
  • 在全球拥有4个加工厂,有助于灵活交付和BCP。
  • 完善的开发团队确保研究、技术支持和试制的全面平衡。

技术内容与特性

工厂
上游工段、机械加工:矶原工厂(茨城县)
机械加工:USA、Korea、Taiwan
营业据点
东京、USA、Taiwan、Korea、Singapore、Germany、China
经营产品
各类半导体用靶材
腔室内使用溅射环等
评估、分析仪器设备(示例)
200mm、300mm晶圆用溅射设备
Glow Discharge Mass Spectrometer (GDMS)
ICP-MAS
质量体系(认证)
ISO9001
ISO/TS16949
ISO14001

主要业务一览

我们可提供有助于提高元件可靠性的各类高纯度靶材。

Ti靶

本公司的Ti靶广泛用于Al布线的阻挡膜和硬掩模等半导体内需要使用Ti的部位。此外,生产高纯度钛的东邦钛株式会社也属于本集团下属公司,从原料到靶材有着完整的集团内部供应链。

特点

  • 凭借20年的生产经验,拥有形状各异的产品阵容。
  • 抑制异物发生并缩短预烧时间。
  • 还开发完成了高功率溅射用材料。

技术内容与特性

纯度 4N5(Ti 99.995%以上)
   5N
   5N5

形状——对应市场上所有型号溅射装置,可满足生产任何晶圆直径
对“SFG”、“SR”进行标准规格化——抑制异物发生,缩短预烧时间

SFG微小颗粒直径
SR加工

用途

  • 布线的阻挡膜
  • 硬掩模
  • 栅电极
  • UBM
  • TSV等

Cu靶

本公司专为半导体开发了纯度为6N(99.9999%以上)的Cu靶,以减少溅射过程中的异物发生。本公司拥有完整的供应链,从资源开采、精炼到制靶的所有工序均可在集团公司内部完成,可为已成为行业标准的6N靶材的稳定供应保驾护航。

特点

  • 以本公司研制的高纯度靶材作为标准品进行稳定供应。
  • 减少异物发生效果优异。
  • 均匀的粒径可稳定溅射数据。

技术内容与特性

我们销售纯度为6N(Cu 99.9999%以上)及半导体布线以外用途的4N5和5N产品。全溅射装置可处理任何晶圆直径。尤其是杂质O、S、P含量低,抑制异物发生效果提高。

所含杂质(示例)
溅射数据

用途

  • Cu布线的种子层
  • UBM
  • TSV等

Cu合金靶

我们坚持贯彻减少溅射时产生的异物,使用在矶原工厂内精炼的半导体用6N(99.9999%)Cu作为原料,并将丰富的知识经验运用到添加用金属的溶解方法中。由于量产性也十分优异,可以充分应对使用Cu合金的尖端半导体立项激增的需求。

特点

  • 努力将异物的产生控制在极小限度。
  • 粒径、合金成分配比在面内和截面方向上是均匀的。
  • 可灵活响应客户所需的合金品种和成分配比。
  • 非常适合量产。

技术内容与特性

品种 CuAl、CuMn等
此外,我们还可以根据客户需求提供各类添加金属和成分配比。我们同时也可提供不含Cu的合金,如有需要,请垂询本公司。

CuMn靶的低异物的示例
(Mn浓度:1at%以下)
溅射数据

用途

  • 尖端半导体中Cu布线的种子层

Ta靶

通过使用业内最高纯度的原料,并自行进行从锻造、压延等上游工艺到制靶的全套工艺,可以控制影响溅射特性的粒径和取向。我们充分利用这一优势,无微不至地响应客户对于品质的要求,同时灵活地安排交期。

特点

  • 提供满足客户品质要求的产品设计。
  • 通过高纯度实现低异物发生。
  • 非常适合量产。

技术内容与特性

纯度 4N5(实质上为5N以上)
我们可以满足产品厚度为0.25”、0.5”等客户的需求。

贯穿产品寿命周期的稳定性
(使用Trio等级)
溅射数据
低尘粒
(使用Trio等级)
溅射数据

用途

  • 用于Cu布线时的阻挡
  • TSV用 等

其他

  • 本公司使用的Ta原料来源均已获得有关Conflict Minerals的第三方认证。

W靶

本公司通过粉末烧结制造纯度为5N(99.999%以上)、密度为99%以上的W靶,可兼顾品质和量产性。此外,为应对近来的高功率溅射需求,我们还推出了提高靶材与背板(BP)之间结合强度的扩散结合产品。

特点

  • 通过高纯度化、高密度化降低了尘粒级别。
  • 量产性优异。
  • 通过扩散结合提高了耐热性。

技术内容与特性

与BP的结合方法 In(铟)材结合、扩散结合

所含杂质(示例)
低尘粒溅射数据

用途

  • 栅电极用

其他

  • 此外,我们还销售W-Si和W-Ti靶。

各类栅用靶材

特点

半导体的电极是需要长期可靠性的部位,用于制造电极的材料也需要具有相同的可靠性。本公司在矶原工厂内进行Co和Ni的高纯度精炼,使用品质稳定的该纯正精制产品作为原料,同时通过量产化、合金化技术等持续供应高度可靠的产品。

  • 产品纯度高,因此长期不易受到杂质影响。
  • 磁性材料的磁特性非常稳定。
  • 还可扩散连接。
  • 面内的厚度均匀性优异。

技术内容与特性

产品(纯度)Co(5N 99.999%以上)
       Ni(5N)
       NiPt合金(4N5) 等

Co靶的磁导率 SPC
面内厚度偏差数据
(Co靶的面内厚度偏差)

用途

  • 栅电极用

其他

  • 除上述产品以外,我们还供应用于栅电极和功函数调节的各类靶材。
    如果您有需要的品种或成分,请垂询本公司。

各种溅射环、零件组

用于溅射200mm和300mm晶圆的Applied Materials产装置,其腔室装置内使用与靶材相同材料的溅射环、零件组。本公司供应用于Ti、Cu和Ta的溅射环、零件组。

特点

  • 本公司是经美国Applied Materials, Inc.(AMAT)官方认证的供应商。

产品介绍

Ti 200mm 零件组(溅射环、螺丝、螺帽)
Cu 200mm 零件组(溅射环、螺丝、内螺帽等)
Ti 300mm 溅射环
Cu 300mm 溅射环
Ta 300mm 溅射环

其他靶材产品阵容示例

评估装置

300mm 晶圆用溅射装置
晶圆表面检查装置

我们使用与客户相同的溅射装置来确认品质。

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