化合物半导体/晶体材料
CdZnTe基板
高品质和稳定性赢得了客户的高度评价和信赖。我们生产II-VI族化合物半导体的Cd（Zn）Te。提供满足近期需求和产品需求的产品。
| 产品名称 | CdZnTe（CdTe）（碲化镉）基板 |
|---|---|
| 主要基本用途 | 红外线探测器、辐射探测器 |
产品阵容
| Size（mm） | Orientation | Dopant | |
|---|---|---|---|
| CdZnTe基板 | 10×10- 95×95 |
（111）,（211）,（100） | Zn, None |
| High resistivity CZT Lineup | Size（mm） | Thickness(mm) | Resistivity(Ωcm) | μτ(cm2/V) | Standard pixel design |
|---|---|---|---|---|---|
| Bare wafer | Up to 60x60 | 0.5–5.0 | 107–1011 | Electron: 1x10-4–2x10-3 Hole: 1x10-5–9x10-5 |
- |
| Planar detector | Up to 10x10 | - | |||
| Pixel detector | Up to 40x40 | Pixel pitch: 75 μm Pixel size: 50 μm |
用途例
CdZnTe基板的特点
- 通过采用本公司独创的单晶培养方法，实现了世界上最高品质的大面积CdZnTe单晶。
- 与其他材料相比，CdZnTe可进行高精度辐射检测，实现稳定的X射线检测。
- 我们提供可实现大型红外线传感器的具有均匀Zn浓度的基板。
辐射传感器用高电阻CdZnTe基板的特点
- 高电阻会导致暗电流变低。
- 因为稳定性出色，所以不会发生极化。
- 可以与ASIC实现不错的连接。
- 可以裸板、带平面元件或像素电极的方式提供。
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