化合物半導体・結晶材料
InP基板
高品质和稳定性赢得了客户的高度评价和信赖。我们生产III-V族化合物半导体的。提供满足近期需求和产品需求的产品。
| 产品名称 | InP（磷化铟）基板 |
|---|---|
| 主要基本用途 | 发光元件、光接收元件、超高速电子元件等，红外线探测器等 |
产品阵容
| Size | Orientation | Dopant | |
|---|---|---|---|
| InP基板 | 2inch 3inch 4inch |
（100） | S, Sn, Zn, Fe, None |
用途例
光通信模块
（光接收/发光元件）
基站
数据中心
对InP新用途的提案
实现高性能防碰撞传感器
InP基板的特点
加工精度高
- 为提高设备品质而提供高加工精度的晶圆。
TTV（Total Thickness Variation）：1.5µm
低位错缺陷密度
- 我们通过优化晶体培养，在大尺寸基板中实现了低位错缺陷密度。
TOP
Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2
Bottom
Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2
4英寸S掺杂InP基板EPD图
外延生长后的形态
- 我们对基板端面采取特殊加工，藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。
| InGaAs | 0.05 μm |
|---|---|
| InP | 2.1 μm |
| InGaAs | 4.0 μm |
| InP | 2.0 μm |
| S-InP Sub. | |
防止加工后基板缺损的技术
- 我们对基板端面采取特殊加工，藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。
传统加工
新技术加工
基板边缘的显微照片
减少基底表面的杂质
- 过优化基板表面处理工艺，有助于降低外延生长后基板及界面中的杂质（Si、C）含量。
传统基板
改善后基板
外延生长后的SIMS深度剖面
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