化合物半導体・結晶材料
InP基板

高品质和稳定性赢得了客户的高度评价和信赖。我们生产III-V族化合物半导体的。提供满足近期需求和产品需求的产品。
产品名称 | InP(磷化铟)基板 |
---|---|
主要基本用途 | 发光元件、光接收元件、超高速电子元件等,红外线探测器等 |
产品阵容
Size | Orientation | Dopant | |
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InP基板 | 2inch 3inch 4inch |
(100) | S, Sn, Zn, Fe, None |
用途例

基站

数据中心

光通信模块
(光接收/发光元件)

太阳能发电
对InP新用途的提案
实现高性能防碰撞传感器

可实现波长对眼睛安全的激光雷达

InP基板的特点
- 我们长期提供光通信用途中作为光接收/发光元件必不可少的InP基板。
加工精度高
- 为提高设备品质而提供高加工精度的晶圆。

※Total Thickness Variation
低位错缺陷密度
- 我们通过优化晶体培养,在大尺寸基板中实现了低位错缺陷密度。
TOP

Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2
Bottom

Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2
4英寸S掺杂InP基板EPD图
外延生长后的形态
- 我们对基板端面采取特殊加工,藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。

InGaAs | 0.05 μm |
---|---|
InP | 2.1 μm |
InGaAs | 4.0 μm |
InP | 2.0 μm |
S-InP Sub. |
防止加工后基板缺损的技术
- 我们对基板端面采取特殊加工,藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。


传统加工

新加工技术
电子显微镜下的截面图
减少基底表面的杂质
传统基板

改善后基板

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