化合物半導体・結晶材料

InP基板

InP基板

高品质和稳定性赢得了客户的高度评价和信赖。我们生产III-V族化合物半导体的。提供满足近期需求和产品需求的产品。

产品名称 InP(磷化铟)基板
主要基本用途 发光元件、光接收元件、超高速电子元件等,红外线探测器等

产品阵容

  Size Orientation Dopant
InP基板 2inch
3inch
4inch
(100) S, Sn, Zn, Fe, None

用途例

基站

基站

数据中心

数据中心

光通信模块

光通信模块
(光接收/发光元件)

太阳能发电

太阳能发电

对InP新用途的提案

实现高性能防碰撞传感器

可实现波长对眼睛安全的激光雷达

InP基板的特点

  • 我们长期提供光通信用途中作为光接收/发光元件必不可少的InP基板。

加工精度高

  • 为提高设备品质而提供高加工精度的晶圆。
加工精度高
TTV:1.5µm(4” InP wafer)
Total Thickness Variation

低位错缺陷密度

  • 我们通过优化晶体培养,在大尺寸基板中实现了低位错缺陷密度。

TOP

低位错缺陷密度

Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2

Bottom

Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2

4英寸S掺杂InP基板EPD图

外延生长后的形态

  • 我们对基板端面采取特殊加工,藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。
外延生长后的形态
InGaAs 0.05 μm
InP 2.1 μm
InGaAs 4.0 μm
InP 2.0 μm
S-InP Sub.

防止加工后基板缺损的技术

  • 我们对基板端面采取特殊加工,藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。
=我们对基板端面采取特殊加工,藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。

传统加工

我们对基板端面采取特殊加工,藉此可以减少器件制造过程中的基板开裂和缺损。

新加工技术

电子显微镜下的截面图

减少基底表面的杂质

传统基板

减少基底表面的杂质

改善后基板

减少基底表面的杂质
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