化合物半導体・結晶材料
InP基板
高品質と安定性はお客様より高い評価と信頼を得ています。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の InPを製造しております。最近の需要と製品要求に応える製品を提供しております。
| 製品名 | InP（インジウムリン）基板 |
|---|---|
| 主な一次用途 | 発光素子、受光素子、超高速電子素子、赤外線検出器等 |
ラインナップ
| Size | Orientation | Dopant | |
|---|---|---|---|
| InP基板 | 2inch 3inch 4inch |
（100） | S, Sn, Zn, Fe, None |
用途例
基地局
データセンター
光通信モジュール
（受発光素子）
太陽光発電
InPの新しい用途へのご提案
高性能な衝突防止センサを実現可能
目に安全な波長でのレーザーレーダーを実現可能
InP基板の特徴
- 光通信用の受発光素子材料として必須であるInP基板を長年提供しております。
高い加工精度
- デバイス品質向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。
※Total Thickness Variation
低転位欠陥密度
- 当社結晶の育成最適化により、大口径基板において低転位の欠陥密度を実現しております。
TOP
Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2
Bottom
Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2
4-inch S-doped InP 基板 EPD マップ
エピ成長後のモフォロジー
- 当社基板の面方位最適化により、エピ成長後の表面モフォロジーの良好化に寄与いたします。
| InGaAs | 0.05 μm |
|---|---|
| InP | 2.1 μm |
| InGaAs | 4.0 μm |
| InP | 2.0 μm |
| S-InP Sub. | |
加工後の基板欠け防止技術
- 当社基板端面の特殊加工により、デバイス製造プロセスにおける基板の割れ、欠けを低減する事が可能です。
従来型加工
新加工技術加工
電子顕微鏡による断面観察イメージ
基板表面不純物の低減
従来基板
改善後基板
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