化合物半導体・結晶材料
化合物半導体基板-InP、CdZnTe(CdTe)-

高品質と安定性はお客様より高い評価と信頼を得ています。III・V化合物半導体のInP、II・VI化合物半導体のCd(Zn)Teを製造しております。最近の需要と製品要求に応える製品を提供しております。
種類 | 薄膜材料 |
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主要製品 | InP(インジウムリン)、CdZnTe(CdTe)(カドミウムテルル) |
主な一次用途 | 発光素子、受光素子、超高速電子素子等、赤外線検出器、放射線検出器等 |
カタログ | 【製品カタログ:英語版】InP、CdTe |
ラインナップ
Size | Orientation | Dopant | |
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InP | 2inch 3inch 4inch |
(100) | S, Sn, Zn, Fe, None |
Size(mm) | Orientation | Dopant | |
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CdZnTe | 10×10- 95×95 |
(111),(211),(100) | Zn, None |
InP基板
用途例

基地局

データセンター

光通信モジュール
(受発光素子)

太陽光発電
InP基板の特徴
- 光通信用の受発光素子材料として必須であるInP基板を長年提供しております。
- 世界最高レベルの品質で世界トップシェアを維持しております。
- デバイス品質向上のため、高い加工精度のウェハを提供しております。

※Total Thickness Variation
InPの新しい用途へのご提案
高性能な衝突防止センサを実現可能

目に安全な波長でのレーザーレーダーを実現可能

CdZnTe基板
用途例

医療、分析用放射線センサ素子

宇宙、環境用赤外線センサ素子

太陽光発電
CdZnTe基板の特徴
- 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
- 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
- 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。


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