UBMめっき
半導体パッケージング技術の小型化、高集積化に伴ない、LSIやICなどのチップの接合方法としてワイヤボンディング法からフリップチップ法への移行が広がっており、フリップチップ法においては金属パッドとはんだの接合を目的としたUBMの形成が必須とされています。 当社のUBM加工は無電解めっき処理にて行っており、低コスト化、短納期化、小型化を実現、更には環境にも配慮した技術となっております。
| 種類 | 薄膜材料 |
|---|---|
| 主要製品 | UBMめっき加工サービス |
| 主な一次用途 | LSI、IC等のチップと基板の接合 |
UBMとは
UBMはUnder Bump Metallurgy（Under Bump Metal、Under Barrier Metalとも）の略称で、半導体ウエハの電極にはんだ接合性を付与させるために用いられます。UBMはウエハにめっきを施すことなどにより形成されます。
当社のUBM形成サービスは、無電解めっきによるウエハめっき（半導体めっき）処理が特徴であり、具体的には、ウエハ電極上に無電解ニッケル金めっき皮膜や、無電解ニッケルパラジウム金めっき皮膜を形成します。
なお、UBMはワイヤボンディング下地の強化にも一般的に用いられており、この用途ではOPM（Over Pad Metal）や FSM（Front Side Metal）といった呼称も用いられます。
当社UBMめっき加工サービスの仕様
UBMめっき加工サービス 仕様・特性
| （代表値） | ※試作実績 | |
|---|---|---|
| ウエハ材質 | Si、GaAs（その他材質にも対応致します） | 同左＋SiC |
| ウエハサイズ | 50～300mmφ（2”～12”） | |
| ウエハ厚 | 150μm以上 （150um以下についてはご相談下さい） | Min.80um（6”φ） |
| パッド材質 | 純Al、AlSi、AlCu、AlSiCu、Cu、Au | |
| パッド形状 | 四角形、円形、その他 | Min.4um□ 開口 |
| ウエハの種類 | ロジック、メモリー、パワートランジスタ、MEMS等 | |
| UBM | E-less Ni/Au、E-less Ni/Pd/Au （鉛フリー、シアンフリー浴を使用） |
| Ni（material） | Ni（P 5～10％） |
|---|---|
| Ni厚み | 1～5μm：パッド間のスペース制約あり |
| Pd厚み | 0.05～0.2μm |
| Au厚み | 0.02～0.05μm（Ni/Pd/Au） 0.05～0.10μm（Ni/Au） |
| 厚みばらつき | ±10％以下（200mmφ） |
UBMめっき加工ライン
- ※ライン環境
- クリーン度 Class1000
- プログラム制御された全自動ラインにて製造
- 日本、台湾の2拠点にて対応
当社UBMめっきの特徴
特徴
- 自社開発の独自めっきプロセスにより電位差軽減
- 充実した分析および評価設備を保有
- ウエハサイズ12インチまで対応可能
当社保有評価・検査機器
当社保有分析機器の一例
| 表面モホロジー観察 | FIB-SEM、FE-SEM、SPM |
|---|---|
| 表面元素分析 | FE-EPMA、FE-AES、XPS |
| 表面官能基分析 | Raman、FT-IR、UV |
| 金属・結晶構造解析 | XRD |
⇒半導体分野で培ったノウハウを活かした表面構造・元素解析が可能
自社開発浴をベースにした当社プロセスの特徴
IC固有の電位差の問題、パッドの種類、面積差による高さばらつきの解消
当社UBM加工は、パッドの電位差、面積差によるめっき高さばらつきを独自の添加剤やめっき方法の工夫により、大幅に抑制しています。
微小パッドにおいても均一なめっきが可能
電位の異なるパッド同士でもほぼ同じめっき厚を実現
無電解Auめっきの孔食を抑えることでのはんだ接合性強化
当社無電解Auめっき浴はシアンフリーであり、特殊添加剤の採用でAuめっき層の孔食を限りなく抑えることに成功しました。その結果、優れたはんだ接合性を確保しました。 また、めっき処理液やめっき皮膜の分析・解析結果をめっき液開発にフィードバックすることにより、はんだ接合性等を強化しております。
ワイヤボンディング強度においても信頼性発揮
フリップチップ法だけでなく、ワイヤボンディングにおけるボンドとパッド接合面の下地としても当社無電解めっきは効果を発揮します。
鉛フリー等環境規制をクリア
当社の無電解めっき浴はシアン等毒物や鉛などのRoHS規制物質を含んでいない環境に配慮しためっき浴となっております。
※24時間受け付けております。