化合物半導体・結晶材料
InP基板
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のInP基板を製造しております。最新の市場ニーズや技術的要求に応える高品質な製品を提供しております。
| 製品名 | InP（インジウムリン、リン化インジウム）基板 |
|---|---|
| 主な一次用途 | 発光素子、受光素子、超高速電子デバイス、赤外線検出器等 |
ラインアップ
| Size | Orientation | Dopant | |
|---|---|---|---|
| InP基板 | 2inch 3inch 4inch |
（100） | S, Sn, Zn, Fe, None |
用途例
光通信モジュール
（受発光素子）
基地局
データセンター
新しい用途へのご提案
高性能な衝突防止センサを実現可能
特長
高い加工精度
- デバイス品質向上のため、高い加工精度の基板を提供しております。
TTV（Total Thickness Variation）：1.5µm
低転位欠陥密度
- 当社結晶の育成最適化により、大口径基板において低転位の欠陥密度を実現しております。
TOP
Avg. 37 cm-2
Max. 664 cm-2
Bottom
Avg. 15 cm-2
Max. 581 cm-2
4-inch S-doped InP 基板 EPD マップ
エピ成長後のモフォロジー
- 当社基板の面方位最適化により、良好なモフォロジーのエピ成長に寄与いたします。
| InGaAs | 0.05 μm |
|---|---|
| InP | 2.1 μm |
| InGaAs | 4.0 μm |
| InP | 2.0 μm |
| S-InP Sub. | |
加工後の基板欠け防止技術
- 当社基板端面の特殊加工により、デバイス製造プロセスにおける基板の割れ、欠けを低減する事が可能です。
従来加工
新技術加工
基板端部顕微鏡写真
基板表面不純物の低減
- 基板表面処理の最適化により、エピ成長後の基板および界面における不純物（Si、C）の低減に寄与いたします。
従来基板
改善後基板
エピ成長後のSIMSデプスプロファイル
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