グラフェン用圧延銅箔
HA箔／HA-V2箔／TPC箔（タフピッチ銅箔）
特長
- 結晶粒が大きく、結晶方位が揃うよう設計された圧延銅箔です。
- 一般的な銅箔に比べ低粗度であり、また不純物をほとんど含みません。
- 積層欠陥が少なく、単層に近い高品質なグラフェンが生成可能です。
- ロールでのご提供が可能なため、ロールtoロールでのグラフェン生成プロセスに最適です。
用途
- CVD(化学気相成長)プロセスでグラフェンを生成させる基板としてご使用いただけます。
- CVDグラフェンは、センサー、電池、透明導電体、透明発熱体等への採用が進んでおります。
代表特性
結晶配向性の向上
HA、HA-V2箔はアニール後の結晶が大きく、かつ結晶方位が100方向に著しく高くなるよう設計されています。これらの特徴がグラフェンのエピタキシャル成長に影響し、高品質なグラフェンを生成することができます。
EBSPによる結晶配向性の比較（銅箔表面の観察結果）
化学組成
| ProductSeries | HA （タフピッチ銅） |
HA-V2 （無酸素銅） |
TPC （タフピッチ銅） JIS：C1100 |
|---|---|---|---|
| Cu | ≧99.9% | ≧99.9% | ≧99.9% |
| Ag | 190ppm | 100ppm | - |
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