高純度塩化物
高純度 MoO2Cl2(molybdenum dioxide dichloride)
MoO2Cl2は、3D NANDフラッシュ(以下、3D NAND)のワードラインをはじめ、今後、さまざまな半導体プロセスでの活用が期待されている次世代材料です。
当社のMoO2Cl2は世界トップクラスの高純度(6N以上)を達成しており、追加プロセス(精製工程など)の削減に貢献します。
MoO2Cl2とは|モリブデン配線用フッ素フリー前駆体
モリブデン(Mo)は、微細・薄膜領域においてタングステン(W)よりも低抵抗な材料であり、半導体デバイスのさらなる微細化・高密度化に貢献する金属配線材料です。
加えて、MoO2Cl2はフッ素フリーの前駆体(プリカーサー)であるため、既存のWF6と比べてプロセスの信頼性向上が期待されており、さまざまな半導体デバイスでの採用が見込まれています。
MoO2Cl2の半導体アプリケーション(3D NAND・DRAM・ロジック)
配線材料として、3D NAND、DRAM、ロジックLSIなどの各種デバイスへの適用が期待されています。
- 3D NAND ワードライン
- DRAM ワードライン・ビットラインなど
- ロジック 配線・コンタクト・二次元材料など
当社MoO2Cl2の特長(高純度・高嵩密度・低水分量)
半導体グレードの品質
- 5N(99.999%)品・6N(99.9999%)※品の高純度製品をラインナップ。
- 追加の精製工程なしで半導体の要求品質を満たすため、トータルコストダウンに貢献。
- ※特許申請中(国際公開番号:WO2021171742)
高嵩密度
- 高い嵩密度により、キャニスターへの充填量を増加させることができます。
- キャニスター交換頻度の低減や装置停止時間の削減など、運用面での経済性向上が期待できます。
低水分量
- 低水分量により、水和物の発生を低減します。
その結果、成膜時のキャニスター内の残渣量が低減でき、充填したMoO2Cl2をより有効に活用できます。
MoO2Cl2の写真
サプライチェーン
当社は原料メーカーとして、高純度MoO2Cl2原料を安定的に提供しています。
出荷形態
ガラス瓶および密閉外装にて出荷いたします。詳細はお問い合わせください。
個別容器への充填対応に関しても、ご相談ください。
ステータス
当社MoO2Cl2は、日本国内で量産中です。
サンプルをご希望の方は、下記のお問い合わせフォームよりご連絡ください。
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