化合物半導体・結晶材料

CdZnTe(CdTe)基板

CdZnTe(CdTe)基板

高品質と安定性はお客様より高い評価と信頼を得ています。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の CdZnTe(CdTe)を製造しております。最近の需要と製品要求に応える製品を提供しております。

製品名 CdZnTe(CdTe)(カドミウムテルル)基板
主な一次用途 赤外線検出器、放射線検出器

ラインナップ

  Size(mm) Orientation Dopant
CdZnTe基板 10×10-
95×95
(111),(211),(100) Zn, None
High resistivity CZT Lineup Size(mm) Thickness(mm) Resistivity(Ωcm) μτ(cm2/V) Standard pixel design
Bare wafer Up to 60x60 0.5–5.0 107–1011 Electron:
1x10-4–2x10-3
Hole:
1x10-5–9x10-5
-
Planar detector Up to 10x10 -
Pixel detector Up to 40x40 Pixel pitch: 75 μm
Pixel size: 50 μm

用途例

宇宙、環境用赤外線センサ素子
宇宙、環境用赤外線センサ素子
太陽光発電
太陽光発電
医療、分析用放射線センサ素子
医療、分析用放射線センサ素子
X線検査
X線検査
ɤ線コンプトンカメラ
ɤ線コンプトンカメラ

CdZnTe基板の特徴

  • 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
  • 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
  • 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。
大面積CdZnTe基板
大面積のCdZnTe基板
CdZnTe基板の均一なZn濃度分布
CdZnTe結晶の均一的なZn濃度の面内分布(%)
調整された基板の微細なテルル析出物
調整された基板の微細なテルル析出物

放射線センサー向け高抵抗のCdZnTe基板の特徴

高抵抗のCdZnTe基板
高抵抗のCdZnTe基板
CdZnTe基板への金属配線形成
金属配線形成が可能です。
(左: プレナ素子, 右: ピクセル電極)
  • 高抵抗により低い暗電流になります。
  • 卓越した安定性により、分極化が生じません。
  • ASICとの良好な接続性が可能です。
  • ベア基板, プレナ素子, ピクセル電極付きでのご提供が可能です。
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