化合物半導体・結晶材料
CdZnTe(CdTe)基板

高品質と安定性はお客様より高い評価と信頼を得ています。Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体の CdZnTe(CdTe)を製造しております。最近の需要と製品要求に応える製品を提供しております。
製品名 | CdZnTe(CdTe)(カドミウムテルル)基板 |
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主な一次用途 | 赤外線検出器、放射線検出器 |
ラインナップ
Size(mm) | Orientation | Dopant | |
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CdZnTe基板 | 10×10- 95×95 |
(111),(211),(100) | Zn, None |
High resistivity CZT Lineup | Size(mm) | Thickness(mm) | Resistivity(Ωcm) | μτ(cm2/V) | Standard pixel design |
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Bare wafer | Up to 60x60 | 0.5–5.0 | 107–1011 | Electron: 1x10-4–2x10-3 Hole: 1x10-5–9x10-5 |
- |
Planar detector | Up to 10x10 | - | |||
Pixel detector | Up to 40x40 | Pixel pitch: 75 μm Pixel size: 50 μm |
用途例





CdZnTe基板の特徴
- 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
- 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
- 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。



放射線センサー向け高抵抗のCdZnTe基板の特徴


(左: プレナ素子, 右: ピクセル電極)
- 高抵抗により低い暗電流になります。
- 卓越した安定性により、分極化が生じません。
- ASICとの良好な接続性が可能です。
- ベア基板, プレナ素子, ピクセル電極付きでのご提供が可能です。
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