化合物半導体・結晶材料
CdZnTe（CdTe）基板
Ⅱ－Ⅵ族化合物半導体の CdZnTe（CdTe）基板を製造しております。最新の市場ニーズや技術的要求に応える高品質な製品を提供しております。
| 製品名 | CdZnTe（CdTe）（テルル化カドミウム亜鉛/カドミウムテルル）基板 |
|---|---|
| 主な一次用途 | 赤外線検出器、放射線検出器 |
ラインアップ
| Size（mm） | Orientation | |
|---|---|---|
| CdZnTe基板 | 10×10- 95×95 |
（111）,（211） |
- ※CdTeも提供可能
| High resistivity CZT Lineup | Size（mm） | Thickness(mm) | Resistivity(Ωcm) | μτ(cm2/V) | Standard pixel design |
|---|---|---|---|---|---|
| Bare wafer | Up to 60x60 | 0.5–5.0 | 107–1011 | Electron: 1x10-4–2x10-3 Hole: 1x10-5–9x10-5 |
- |
| Planar detector | Up to 10x10 | - | |||
| Pixel detector | Up to 40x40 | Pixel pitch: 75 μm Pixel size: 50 μm |
用途例
特長
- 当社独自の単結晶育成方法を用いることで、世界最高の高品質、大面積のCdZnTe単結晶を実現しております。
- 他マテリアルに比べCdZnTeは高精度な放射線検出が可能で、安定したX線検出を可能にします。
- 大型の赤外線センサを実現可能にする均一なZn濃度をもつ基板を提供しています。
放射線センサー向け高抵抗のCdZnTe基板の特長
(左: プレナ素子, 右: ピクセル電極)
- 高い抵抗により暗電流を小さくできます。
- 卓越した安定性により、分極化が生じません。
- ASICとの良好な接続が可能です。
- ベア基板, プレナ素子, ピクセル電極付きでのご提供が可能です。
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